Pulver aus Siliciumcarbid (Carborundum) für Keramik

Siliziumkarbid (Carborundum) Powder ist der Hauptrohstoff für Siliziumkarbid-Verbundkeramik. Die hervorragende thermische und chemische Leistung hilft Keramik, Festigkeit, Korrosionsschutz und Wärmebeständigkeit zu verbessern.

Siliziumkarbid (SIC)-Keramik hat hervorragende Eigenschaften wie:

• starke Oxidationsbeständigkeit,

• gute Verschleißfestigkeit,

• hohe Härte,

• gute thermische Stabilität

• Hochtemperaturfestigkeit

• kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient

• hohe Wärmeleitfähigkeit

• Wärmeschockbeständigkeit

• chemische Korrosionsbeständigkeit

Daher hat es eine große Rolle in den Bereichen Erdöl, chemische Industrie, Maschinenbau, Luft- und Raumfahrt, Kernenergie usw. gespielt. Zum Beispiel arbeitet Siliziumkarbidkeramik als verschiedene Lager, Kugeln, Düsen, Dichtungen, Schneidwerkzeuge, Gasturbinenschaufeln , Turboladerrotoren, reflektierende Schirme und Auskleidungen von Raketenbrennkammern. Die hervorragende Leistung von Siliziumkarbid-Keramik hängt eng mit ihrer einzigartigen Struktur zusammen.

Siliziumkarbidpulver ist eine Verbindung mit einer starken kovalenten Bindung, und die Ioneneigenschaft der Si-C-Bindung in Siliziumkarbid beträgt nur etwa 12%. Daher hat Siliziumkarbidpulver eine hohe Festigkeit, einen großen Elastizitätsmodul und eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit. Reines SiC wird durch Säurelösungen wie HCl, HNO3, H2SO4 und HF und Alkalilösungen wie NaOH nicht erodiert. Die Oxidation erfolgt beim Erhitzen an der Luft, aber das während der Oxidation auf der Oberfläche gebildete SiO2 hemmt die weitere Diffusion von Sauerstoff, sodass die Oxidationsrate nicht hoch ist. In Bezug auf die elektrischen Eigenschaften hat Siliziumkarbid Halbleitereigenschaften, und die Einführung einer kleinen Anzahl von Verunreinigungen zeigt eine gute Leitfähigkeit. Außerdem hat SiC eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit.

Siliziumkarbid bekommt zwei Kristallformen α und β. Die β-Kristallstruktur von SiC ist ein kubisches Kristallsystem. Si und C bilden jeweils ein flächenzentriertes kubisches Gitter. Für α-SiC gibt es mehr als 100 Polytypen von SiC, wie z. B. 4h, 15R und 6H. Der 6H-Polytyp ist der häufigste in industriellen Anwendungen. Zwischen verschiedenen SiC-Typen besteht eine bestimmte thermische Stabilitätsbeziehung. Wenn die Temperatur niedriger als 1600 ℃ ist, wird SiC β- in Form von SiC. Wenn die Temperatur höher als 1600 ℃ ist, wandelt sich β-SiC langsam in α- Verschiedene Polytypen von SiC um. 4h SiC bildet sich leicht bei etwa 2000 ℃; Sowohl 15R- als auch 6h-Polymorphe benötigen eine hohe Temperatur über 2100 ℃, um sich leicht zu bilden; Für 6h SiC ist es sehr stabil, selbst wenn die Temperatur 2200 ℃ übersteigt. 

Es gibt mehrere Optionen für Siliziumkarbidpulver für SiC-Keramiken. Schwarzes (oder grünes) Siliziumkarbid Fraktion 0-1 mm, 1-2 mm, 2-3 mm, F14, F16, F24 immer geeignet für gesinterte SiC-Keramik als Aggregat. Schwarzes (oder grünes) Siliziumkarbidpulver 40 Mikrometer und 3,5 Mikrometer sind zum Füllen in SiC-Keramik geeignet.