SiC-Nanopulver 50 nm, 100 nm, 500 nm
SiC-Nanopulver 50 nm, 100 nm, 500 nm ist ein ultrafeines Pulver aus Siliziumkarbid, das durch chemische Synthese hergestellt wird. Es wird auch Nano-Carborundum-Pulver genannt. Siliziumkarbid-Nanopulver zeichnet sich durch hohe Festigkeit, Härte und Reinheit aus. Es wird häufig in Bereichen wie Nanomaterialien, Schleifpulvern, Spezialkeramiken und Verbundwerkstoffen eingesetzt.
Charakteristisch:
- Hohe Reinheit von Siliziumkarbid. Die Reinheit des SIC-Nanopulvers liegt über 99 %, und der Gehalt an Siliziumkarbid von 99 % bis 99,99 % kann individuell angepasst werden.
- Nano-Siliziumkarbidpulver hat eine hohe Feinheit und kann von 30 nm bis 500 nm hergestellt werden. Nano-Siliziumkarbid in Schleifqualität mit enger Partikelgrößenverteilung kann ebenfalls individuell angepasst werden.
- Sowohl α-SiC- als auch β-SiC-Pulver können je nach Bedarf individuell angepasst und hergestellt werden.
- Nano-Siliziumkarbidpulver weist stabile chemische Eigenschaften und eine hohe Beständigkeit gegen Hochtemperaturkorrosion und saure Alkalilösungsmittel auf.
- Nano-Siliziumkarbid hat eine hohe Härte und eine hervorragende Verschleißfestigkeit.
- SiC-Nanopulver weist eine große Bandlückenbreite sowie hohe Eigenschaften des kritischen elektrischen Durchbruchfelds und eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf.
Spezifikationen des SiC-Nanopulvers:
Typ | β-SiC 50 nm | β-SiC 50 nm | α-SiC 50 nm | α-SiC 50 nm |
Farbe | Dunkelgrün | Dunkelgrün | Hellgrau | Hellgrau |
D50 Größe (nm) | 50 | 500 | 50 | 500 |
SiC-Reinheit (%) | ≥99,9 | ≥99 | ≥99,9 | ≥99 |
Kristallphrase | Kubische β-Phrase | Kubische β-Phrase | 16H eine Phrase | 16H eine Phrase |
*Andere Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich.
Anwendung:
- Superkondensator
- Katalysator
- Absorbierendes Material
- 3D-Druckmaterialien
- Hochwertige feuerfeste Materialien
- Fortschrittliche industrielle Keramikmaterialien
- Erweitertes Schleifen & Polierpulver speziell im Halbleiterbereich.
- Additive für Verbundwerkstoffe
- Halbleiter mit großer Bandlücke der dritten Generation
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