99-99,99 % Nano-SiC-Pulver 10000#20000#30000#
99–99,99 % Nano-SiC-Pulver 10000#20000#30000# bezieht sich auf extrafeines Pulver mit einer Partikelgröße von Nanometern. Die SiC-Reinheit beträgt bis zu 99 % und 99,99 %. Der Herstellungsprozess von Nano-Siliziumkarbid unterscheidet sich von der Acheson-Methode, wird jedoch durch chemische Reaktionen synthetisiert. Nano-SiC-Pulver weist die Eigenschaften hoher Festigkeit, hoher Härte und hoher Reinheit auf. Es wird häufig in den Bereichen Nanomaterialien, Schleifpulver, Spezialkeramik, Verbundwerkstoffe usw. verwendet.
Eigenschaften von 99-99,99 % Nano-SiC-Pulver
- Hohe Reinheit von Siliziumkarbid. Die Reinheit von Nano-Siliziumkarbidpulver liegt über 99 % und SiC mit einer Reinheit von 99 % bis 99,99 % ist in kundenspezifischer Produktion erhältlich.
- Nano-Siliziumkarbidpulver weist eine hohe Präzision auf und kann von 30 nm bis 500 nm hergestellt werden.
- Je nach Bedarf sind sowohl kundenspezifische Alpha-SiC- als auch Beta-SiC-Pulver erhältlich.
- Nano-SiC-Pulver verfügt über stabile chemische Eigenschaften und eine hohe Beständigkeit gegen Hochtemperaturkorrosion und saure, alkalische Lösungsmittel.
- Nano-Siliziumkarbidpulver hat eine hohe Härte und hervorragende Verschleißfestigkeit.
- Nano-SiC-Pulver weist eine große Bandlücke sowie hohe kritische Durchbruch-Elektrofeldeigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf.
Technischer Index des Nano-SiC-Pulvers:
| Kristallstruktur | Kubisch | Sechseckig |
| Kristallphase | B | A |
| Schmelzpunkt | 2700° | 2400° |
| Zersetzungstemperatur | 2830°±40° | 2600° dissoziieren |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 2,5-7 x 10 -6 /°C | 7-9 x 10 -6 /°C |
| Wärmeleitfähigkeit | 0,255 W/cm K | 0,410 W/cm K |
| Mohshärte | 9,5-9,75 | 9,4-9,5 |
| Vickershärte (Mikrohärte) | 3300-3500kg/mm2 | 3200-3400kg/mm2 |
| Bandlücke | 2,2 eV | 2,86 eV |
| Relative Permittivität | 9,72 e | 9.66-10.03 e |
| Elektronenmobilität | ＞1000 | 460 |
Spezifikationen:
| Spez. | Mittlere Partikelgröße | SiC-Gehalt | Phrase | Farbe |
| β-SiC50nm | 50 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Dunkelgrün |
| β-SiC80nm | 80 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Dunkelgrün |
| β-SiC150nm | 150 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Dunkelgrün |
| β-SiC500nm | 500 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Graugrün |
| β-SiC700nm | 700 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Graugrün |
| β-SiC800nm | 800 nm | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Graugrün |
| β-SiC1um | 1um | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Grün |
| β-SiC3um | 3um | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Grün |
| β-SiC5um | 5um | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Grün |
| β-SiC8um | 20 Uhr | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Grün |
| β-SiC10um | 10 um | 99 % / 99,9 % /99,99 % | β-SiC | Grün |
| α-SiC500nm | 500 nm | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Graugrün |
| α-SiC700nm | 700 nm | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Graugrün |
| α-SiC800nm | 800 nm | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Graugrün |
| α-SiC1um | 1um | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Gelbgrün |
| α-SiC3um | 3um | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Gelbgrün |
| α-SiC5um | 5um | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Gelbgrün |
| α-SiC8um | 20 Uhr | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Gelbgrün |
| α-SiC10um | 10 um | 99 % / 99,9 % | α-SiC | Gelbgrün |
*Andere kundenspezifische Spezifikationen sind auf Anfrage erhältlich.
Anwendungsszenarien:
- Moderne Schleif- und Polierpulver, insbesondere in der Halbleiterindustrie.
- Nanoverbundwerkstoffe wie modifizierte Harze, Nano-Siliziumkarbidbeschichtungen usw.
- Superkondensatoren.
- Katalysatoren und Absorptionsmaterialien
- 3D-Druckmaterialien
- Hochleistungsfähige Feuerfestmaterialien
- Spezielle moderne Industriekeramikmaterialien
- Wide-Bandgap-Halbleiter der dritten Generation
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