5N SiC-Pulver Kubisches Beta-Siliciumcarbid 100 nm 300 nm 500 nm

5N SiC-Pulver Kubisches Beta-Siliciumcarbid 100 nm 300 nm 500 nm

Hochreines β-Siliciumcarbid ist β-Phasen-Siliciumcarbid mit einer Reinheit von 5N oder höher. Kubisches β-Phasen-Siliciumcarbid besitzt eine 3C-kubische Kristallstruktur und erreicht aufgrund seiner einzigartigen Kristallmorphologie eine Härte, die der von Diamant nahekommt (Mohs-Härte 9,5–9,75). Hochreines β-Siliciumcarbid-Pulver wird mittels Hochtemperatur-Duroplastie und chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellt. Das Produkt zeichnet sich durch hohe Reinheit, hohen β-Phasenanteil, kontrollierbare Partikelgröße, ausgezeichnete Sinteraktivität und gute Dispergierbarkeit aus. Gleichzeitig besitzt kubisches Siliciumcarbid hervorragende physikalisch-chemische Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronendriftgeschwindigkeit, hohe Elektronenmobilität, Korrosionsbeständigkeit und gute Temperaturwechselbeständigkeit. Es findet breite Anwendung in der Luft- und Raumfahrt, der Hochleistungskeramik, bei Batterien für neue Energien, der Oberflächenbehandlung und der Halbleiterindustrie.

Leistungsmerkmale von 5N SiC-Pulver Kubisches Beta-Siliciumcarbid:

1. Hohe Reinheit, mit einer Produktreinheit von 5N oder höher.
2. Kubischer Phasenanteil bis zu 99 %, reine β-Phasen-Kristallform.
3. Morphologie: Sphärische Partikel mit einem breiten Spektrum an wählbaren Partikelgrößen.
4. Niedriger Sauerstoffgehalt, weniger als 0,3 %.
5. Gute Sinteraktivität und einfache Dispergierbarkeit.
6. Ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen, Verschleiß, Korrosion und Temperaturwechsel.

Physikalisches Indiz

Spezifikation.

Anwendung

1. Feinmahlen
2. Präzisions-Siliziumkarbidkeramik
3. Neue Energiebatterien
4. Halbleiter
5. Spezialbeschichtungen
6. Hochtemperaturmaterialien
7. Elektronische Bauteile