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Siliziumkarbidpulver zum Korrosionsschutz

Siliziumkarbidpulver ist ein synthetisches Material, das gegen hohe Temperaturen, chemische Korrosion, Luftoxidation und UV-Alterung beständig ist. Siliziumkarbidpulver eignet sich daher hervorragend als Korrosionsschutz.

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Ist Siliziumkarbidpulver ein Isoliermaterial?

Siliziumkarbid ist ein Hochtemperatur- und Hochleistungshalbleitermaterial im Halbleiterbereich. Im Bereich des Schleifens besteht jedoch ein grundlegender Unterschied zwischen Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien und Siliziumkarbid-Schleifmitteln. Siliziumkarbid ist in der Halbleiterindustrie ein Einkristall, der mit der PVT- oder HTCVD-Methode gezüchtet wird. Es zeigt je nach Temperaturänderung eine unterschiedliche Leitfähigkeit. Im Bereich des Mahlens ist Siliziumkarbidpulver ein Siliziumkarbidpolymer, das durch Hochtemperaturschmelzen und -schmelzen hergestellt wird. Es ist bei Raumtemperatur ein isolierendes Material und eignet sich zur Herstellung von Siliziumkarbid-Funktionskeramiken.

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Schwarzes Siliziumkarbid F220 F240 wird für Schleiffilamente verwendet

Schleifbürsten aus SiC-Schleiffilamenten eignen sich zum Schleifen und Reinigen von schwer zu reinigenden rohrförmigen oder porösen Metallgussteilen. Das Substrat des Schleifbürstendrahts ist nanomodifiziertes Nylon. Es ist elastisch und bekommt Biegeeigenschaften. Schwarzes Siliziumkarbid ist das Hauptmaterial. Mischen von SiC-Schleifmaterial und Nylon, um Nylon-Schleiffilamente herzustellen. Verwenden Sie dann ein Schleiffilament, um eine Schleiffilamentscheibe oder -bürste herzustellen. Die meistverwendeten Körnungen sind schwarzes Siliziumkarbid Schleifkorn F36-F220 und schwarzes Siliziumkarbid-Pulver F240-F400.

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Siliziumkarbid gegen Borkarbid

Siliziumkarbid und Borkarbid sind häufig Rohstoffe in der Schleif- und Keramikindustrie. Beide Materialien haben eine hohe Härte und Hochtemperaturbeständigkeit. Sowohl Siliziumkarbid als auch Borkarbid haben jedoch unterschiedliche Eigenschaften in Bezug auf Einsatzszenarien und Hochtemperaturleistung.

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