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Grünes Siliziumkarbid #500 #600 #3000 #4000 Mesh 3D-Druckpulver

Der wesentliche Vorteil der 3D-Drucktechnologie besteht darin, dass das Produkt seine Form erhält, ohne dass Formen hergestellt werden müssen. In der industriellen Produktion eignet sich die 3D-Drucktechnologie für die Entwicklung neuer Produkte, die Kleinserienfertigung von Teilen, das Rapid Prototyping komplex geformter Teile sowie den Formenbau und die Herstellung. Bei der Herstellung von Siliziumkarbidkeramik hat sich der 3D-Druck in den letzten Jahren stark weiterentwickelt. Grünes Siliziumkarbidpulver 500 # 600 # 3000 # 4000 # Mesh sind beliebte Spezifikationen für 3D-Druckpulvermaterial. Mit dem Binder-Jet-Verfahren können schnell reaktionsgesinterte Siliziumkarbid-Keramikkörper hergestellt werden.

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Schüttdichte von schwarzem Siliziumkarbid 12 #/14 #

Die Schüttdichte von schwarzem Siliziumkarbid 12 # und 14 # hängt von der Korngröße und -form ab. Insbesondere die Form der schwarzen Siliziumkarbidpartikel hat einen erheblichen Einfluss auf die LPD. Der Hersteller von schwarzem Siliziumkarbid wählt unterschiedliche Zerkleinerungs- und Verarbeitungsmethoden. Mahlprozesse zur Steuerung der Partikelform für verschiedene Anwendungen. Im Allgemeinen ist das Schleifkorn aus Kugelmahl- und Luftstromverfahren höher.

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Beta-SiC 50 nm Siliziumkarbid-Pulveranwendungen

Beta-SiC 50 nm Siliziumkarbidpulver ist eine Art kubisches Siliziumkarbid. Es ist auch als β-SiC bekannt und gehört zum kubischen Kristallsystem (Diamantkristallform). Beta-SiC-Nanopulver bietet einzigartige Vorteile im Vergleich zum herkömmlichen Siliziumkarbid-Mikropulver α-SiC (schwarzes Siliziumkarbid und grünes Siliziumkarbid).

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Siliziumkarbid grün 64C M14 zum Schneiden von Solar-Siliziumwafern

Siliziumkarbid Grün 64C M14 zum Schneiden von Solarsiliziumwafern ist ein häufig verwendetes Schneidmaterial in der Photovoltaikindustrie. Das Waferschneiden ist ein wichtiger Prozess bei der Herstellung von Solarsiliziumwafern. Die Qualität des Siliziumkarbidpulvers wirkt sich direkt auf die Schnittgeschwindigkeit, die Oberflächenrauheit von Siliziumwafern und damit auf die Ausbeute an Siliziumwafern aus.

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