Hochreines Beta-SiC-Pulver, 4N- und 5N-Siliciumcarbidpulver, 2 μm, 5 μm, 10 μm
Hochreines β-SiC-Pulver (4N, 5N, 2 µm, 5 µm, 10 µm) ist β-Phasen-Siliciumcarbid mit einer Reinheit von 5N oder höher. Kubisches β-Phasen-Siliciumcarbid besitzt eine 3C-Kristallstruktur und erreicht dank seiner einzigartigen Kristallmorphologie eine Härte, die der von Diamant nahekommt (Mohs-Härte 9,5–9,75). Hochreines β-Siliciumcarbid-Pulver wird mittels Hochtemperatur-Duroplastie und chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellt. Das Produkt zeichnet sich durch hohe Reinheit, hohen β-Phasenanteil, kontrollierbare Partikelgröße, ausgezeichnete Sinteraktivität und gute Dispergierbarkeit aus. Gleichzeitig besitzt kubisches Siliciumcarbid hervorragende physikalisch-chemische Eigenschaften wie hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronendriftgeschwindigkeit, hohe Elektronenmobilität, Korrosionsbeständigkeit und gute Temperaturwechselbeständigkeit. Es findet breite Anwendung in der Luft- und Raumfahrt, der Hochleistungskeramik, bei Batterien für neue Energien, der Oberflächenbehandlung und der Halbleiterindustrie.
Leistungsmerkmale von hochreinem Beta-SiC-Pulver 4N 5N Siliciumcarbidpulver 2μm 5μm 10μm:
- Hohe Reinheit, mit einer Produktreinheit von 5N oder höher.
- Kubischer Phasenanteil bis zu 99 %, reine β-Phasen-Kristallform.
- Morphologie: Sphärische Partikel mit einem breiten Spektrum an wählbaren Partikelgrößen.
- Niedriger Sauerstoffgehalt, weniger als 0,3 %.
- Gute Sinteraktivität und einfache Dispergierbarkeit.
- Ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen, Verschleiß, Korrosion und Temperaturwechsel.
Physikalische Kennwerte von hochreinem Beta-SiC-Pulver 4N 5N Siliciumcarbidpulver 2 μm 5 μm 10 μm
| Kristallstruktur | Kubisch |
| Kristallphase | B |
| β-Gehalt | ≥99% |
| Schmelzpunkt | 2700° |
| Zersetzungstemperatur | 2830°±40° |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 2,5–7 x 10⁻⁶ /°C |
| Wärmeleitfähigkeit | 0,255 W/cm K |
| Mohs-Härte | 9,5-9,75 |
| Vickers-Härte (Mikrohärte) | 3300-3500 kg/mm² |
| Spezifisches Gewicht | 3,216 g/cm³ |
Spezifikation.
| Spezifikation. | Größe | SiC-Reinheit (%) | β-Prozentsatz | Form |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-2µm | 2um | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-5µm | 5um | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-10µm | 10 µm | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 5N-βSiC-10µm | 50 µm | 5N | ≥99% | subsphärisch |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Teilchen |
Anwendung von hochreinem Beta-SiC-Pulver 4N 5N Siliciumcarbidpulver 2μm 5μm 10μm
- Feinmahlen
- Präzisions-Siliziumkarbidkeramik
- Neue Energiebatterien
- Halbleiter
- Spezialbeschichtungen
- Hochtemperaturmaterialien
- Elektronische Bauteile
